最新消息​​ -- 吳永俊教授 研究室團隊

奈米元件之量子效應


先進非揮發性記憶體


先進太陽能電池

先進奈米電子元件模擬與模型

先進奈米電子元件

其他研究方向

奈米綠能電子元件實驗室             國立清華大學 工程與系統科學系

Nanoelectronic X-FET Green Devices Labortory       National Tsing Hya University, Department of Engineering and System Science

聯繫方式​​ -- 吳永俊教授 研究室團隊

👍 恭賀!! 應屆畢業生蔡孟儒博士 錄取台積電RD工程師


👍 狂賀!! 2017 國際英文版TCAD模擬專書出版

  • https://www.amazon.com/TCAD-Simulation-CMOS-Nanoeletronic-Devices/dp/9811030650
  • ISBN-13 : 978-9811030659 ISBN-10 : 9811030650
  • 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
  • Publisher : Springer ; 1st ed. 2018 edition ( June 21, 2017 ) , Hardcover : 330 pages
  • 👍 2016 專書發表 : 三維TCAD模擬CMOS奈米電子元件

    • ​3D3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
    • 作者 : 吳永俊 / 詹易叡
    • ISBN : 9789865647353 滄海圖書


    👍 榮登2014 IEEE International Electron Devices Meeting ( IEDM ) 國際最頂尖半導體元件​技術會議論文2篇


    👍 榮登2013 VLSI 國際最頂尖半導體元件技術會議論文1篇


    👍 ​2013~2018發表40篇論文

    關於我們​​ -- 吳永俊教授 研究室團隊


    • 吳永俊 ( Yung-Chun Wu ) 教授 E-mail : ycwu@ess.nthu.edu.tw
    • ​辦公室 工科系綠能館504室 03-5715131 ext:34287
    • 實驗室 工科系綠能館612室 03-5715131 ext:35802

    👍 吳永俊教授研究團隊歡迎您的加入


    ​👍 誠徵碩士、博士 ( 丙組與丁組 ) 新生 , 請至工科系綠能館504詳談!!

    • 碩士班歷年皆為二年畢業,多數皆可參與發表國際期刊論文。
    • 博士班平均為三至四年畢業,優秀者可發表領域之頂尖論文,如發表 IEDM, VLSI, SCI IF>5。
    • 歷屆畢業生 碩、博士 包含替代役皆有許多就業選擇,如台積電等高科技產業公司,絕無就業困難。
    • ​老師與實驗團隊會盡所能,協助你完成碩士、博士學位,只有心有意願認真努力,追求更高的專業知識,實驗室非常願意提供
    ​ 一個培養作研究的科學方法,以及增進研究能力的機會。
    • ​全力幫助學生早畢業 博士班3-4年 ),對於經濟較有困難的學生而言,可以在高房價與高物價的時代,盡早進入職場工作,是對
    ​ 人生非常有幫助。
    • 提升自己國際視野、研究交流及增進研究專業知識以及學習生活態度。

    榮登2014IEDM -- 吳永俊教授 研究室團隊

    👍 恭賀 吳永俊教授 研究室團隊 榮登2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) San Francisco, USA. December 15-17, 2014.


    由國際電機電子工程師學會 (Institute of Electrical and Electronics EngineersIEEE) 電子元件學會 (Electron Devices Society) 主辦的年度國際電子元件會議 (IEDM),於美國時間2014/12/15-2014/12/17在舊金山登場,該會議被視為半導體製程、元件技術發展的指標,是半導體領域發表的旗艦會議 (Flagship Conference),也被學術界稱之為奧林匹亞級學術論文。此會議參與者包含 Intel, IBM, TSMC, Samsung等,與世界著名半導體學術研究機構。

    清華大學工程與系統科學系吳永俊教授的研究室成員葉沐詩吳明欣詹易叡鍾明憲洪敏峰吳永俊教授共同於此會議發表研究成果。第一作者葉沐詩吳永俊教授所共同指導之博士生,清華大學工程與系統科學系吳永俊教授為通訊作者。


    • Session 26.6 : Paper Title: High Performance Ultra-Thin Body (2.4nm) Poly-Si Junctionless Thin Film Transistors with a Trench Structure
    • Authors : Mu-Shih Yeh, Yung-Chun Wu*, Min-Hsin Wu, Yi-Ruei Jhan, Ming-Hsien Chung, and Min-Feng Hung
    • Affiliation : Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan.



      清華大學工程與系統科學系吳永俊教授研究室成員 (埕雅琪、蘇俊吉、吳永俊教授),交通大學電子所成員 (陳弘斌,邵繼聖,張俊彥院士與中山大學物理所成員 (張鼎張教授共同於此會議發表研究成果。第一作者埕雅琪為吳永俊教授所共同指導之博士生,清華大學工程與系統科學系吳永俊教授為通訊作者。

     

    • ​Session 26.7 : Paper Title: Performance Enhancement of a Novel P-type Junctionless Transistor Using a Hybrid Poly-Si Fin Channel for 3D IC Applications
    • ​Authors : Ya-Chi Cheng1, Hung-Bin Chen1,2, Chi-Shen Shao2, Jun-Ji Su1*Yung-Chun Wu1#Chun-Yen Chang2,3 and Ting-Chang Chang4
    • ​Affiliation : 1Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Taiwan;2Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan; 3Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taiwan; 4Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Taiwan